SGP6N60UFDTU Spécifications techniques

SGP6N60UFDTU datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 30W
Base Part Number SG*6N60
Power Dissipation 30W
Power - Max 30W
Max Collector Current 6A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 6A
Test Condition 300V, 3A, 80Ohm, 15V
Gate Charge 15nC
Td (on/off) @ 25°C 15ns/60ns
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220-3
Packaging Tube
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 600V
Current Rating 3A
Element Configuration Single
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 35 ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Collector Emitter Saturation Voltage 2.1V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 3A
Current - Collector Pulsed (Icm) 25A
Switching Energy 57μJ (on), 25μJ (off)
Lead Free Lead Free
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