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SGS23N60UFDTU Spécifications techniques

SGS23N60UFDTU datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Weight 2.27g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
HTS Code 8541.29.00.95
Max Power Dissipation 73W
Base Part Number SG*23N60
Element Configuration Single
Case Connection ISOLATED
Transistor Application MOTOR CONTROL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 60ns
Collector Emitter Saturation Voltage 2.1V
Test Condition 300V, 12A, 23 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 320 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 92A
Switching Energy 115μJ (on), 135μJ (off)
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 14 hours ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
Voltage - Rated DC 600V
Current Rating 12A
Number of Elements 1
Power Dissipation 73W
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 23A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 12A
Gate Charge 49nC
Td (on/off) @ 25°C 17ns/60ns
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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