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SMUN5313DW1T3G
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SMUN5313DW1T3G Spécifications techniques
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 |
Max Power Dissipation | 187mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 6 |
Operating Temperature (Max) | 150°C |
Number of Elements | 2 |
Power - Max | 187mW |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Number of Pins | 6 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Operating Temperature (Min) | -55°C |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
Polarity/Channel Type | NPN AND PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
hFE Min | 80 |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47k Ω |
Lead Free | Lead Free |
SMUN5313DW1T3G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SMUN5111DW1T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux | 2528 |
SMUN5111DW1T1G | ON Semiconductor | Tableaux BJT Transistors | |
SMUN5111DW1T1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 3218 |
SMUN5111T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 7106 |
SMUN5111T1G | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
SMUN5112DW1T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 3325 |
SMUN5112DW1T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
SMUN5112T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2526 |
SMUN5112T1G | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
SMUN5113DW1T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2640 |
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