SS9018FBU Spécifications techniques

TRANSISTOR RF NPN 30V 50MA TO-92

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors RF BJT
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Weight 179mg
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 400mW
Current Rating 50mA
Number of Elements 1
Power Dissipation 400mW
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 54 @ 1mA 5V
Transition Frequency 1100MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Continuous Collector Current 50mA
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Position BOTTOM
Frequency 1.1GHz
Element Configuration Single
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type NPN
Max Collector Current 50mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 15V
Collector Base Voltage (VCBO) 30V
hFE Min 28
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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