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SSD2009ATF Spécifications techniques
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Packaging | Tube |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Part Status | Obsolete |
Power - Max | 2W |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 3A, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
SSD2009ATF Documents
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Feuilles de données
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Les pièces suivantes comprennent 'SSD20'
Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SSD20 | Bussmann (Eaton) | Électrique, Fusibles Spécialisés | 2716 |
SSD20 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Fusibles électriques | |
SSD2002-TF | SAMSUNG | Circuits intégrés spécialisés | 2302 |
SSD2002ATF | S | Circuits intégrés spécialisés | 2469 |
SSD2002ATF. | SAMSUNG | Circuits intégrés spécialisés | 2780 |
SSD2002STF | Samsung Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 2500 |
SSD2002TF | SAMSUNG | Circuits intégrés spécialisés | 3397 |
SSD2003 | S | Circuits intégrés spécialisés | 33000 |
SSD2003 MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 19265 |
SSD2003-TF | Original | Circuits intégrés spécialisés | 33500 |
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