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TIG111BF Spécifications techniques

IGBT Transistors HIGH POWER SWITCHING

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Transistor Element Material SILICON
Published 2010
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Pin Count 3
Number of Elements 1
Case Connection ISOLATED
Power - Max 2W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 23A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Test Condition 300V, 10A, 30 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 360 ns
Gate Charge 63nC
Td (on/off) @ 25°C 43ns/175ns
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Bulk
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
HTS Code 8541.29.00.95
Max Power Dissipation 2W
Operating Temperature (Max) 150°C
Element Configuration Single
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2V
JEDEC-95 Code TO-220AB
Turn On Time 250 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 92A
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6V
RoHS Status RoHS Compliant
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