TIP115 Spécifications techniques

TIP115 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package TO-220-3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2007
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -65°C
Max Power Dissipation 2W
Base Part Number TIP115
Polarity PNP
Power Dissipation 50W
Transistor Type PNP - Darlington
Max Collector Current 1mA
Current - Collector Cutoff (Max) 2mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 60V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Collector Emitter Saturation Voltage 2.5V
Collector Base Voltage (VCBO) -60V
hFE Min 500
Height 6.35mm
Width 4.83mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Weight 1.214g
Packaging Bulk
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC -60V
Current Rating -2A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power - Max 2W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 60V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 1A 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 8mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transition Frequency 75MHz
Max Breakdown Voltage 60V
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
Continuous Collector Current -2A
Length 6.35mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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