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DME914C10R
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DME914C10R Spécifications techniques
TRANS NPN PREBIAS/PNP SSMINI6
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés |
Manufacturer | Panasonic |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 12V |
Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 125mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Frequency - Transition | 300MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
Supplier Device Package | SSMini6-F3-B |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
DME914C10R Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
DME914C10R | Panasonic Electronic Components | Arrays de transistors BJT |
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