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DMG563H40R
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DMG563H40R Spécifications techniques
TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés |
Manufacturer | Panasonic |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k, 5.1k |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | 5-SMD, Flat Leads |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | SMini5-F3-B |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k, 510 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
DMG563H40R Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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DMG563010R | Panasonic Electronic Components | Arrays de transistors BJT | |
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DMG563H10R | Panasonic | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2565 |
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