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UNR5113G0L
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UNR5113G0L Spécifications techniques
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés |
Manufacturer | Panasonic |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | SC-85 |
Frequency - Transition | 80MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Supplier Device Package | SMini3-F2 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 47k |
Packaging | Original-Reel® |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
UNR5113G0L Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
UNR5110 | PANASON | Circuits intégrés spécialisés | 12500 |
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UNR511000L | Panasonic Electronic Components | Transistors BJT pré-polarisés | |
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