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UHB100SC12E1BC3N Spécifications techniques

1200 V, 100 A SiC Half Bridge Module

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Module de puissance SiC
Manufacturer Qorvo
Factory Lead Time 3 Weeks
On Resistance RDS(on) 9.4mohm (typ)
Excellent reverse recovery Qrr = 1000 nC
Low gate charge QG = 170 nC
Low intrinsic capacitance
Topology Half Bridge
RDS(on) Typ @ 25C(mohm) 9.4
Package Type E1B
Typical Applications EV Charging Stations PV Inverters Energy Storage Switch mode power supplies
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Operating temperature 150 C (max)
Low body diode VFSD 1.4 V
Threshold voltage VG(th) 5 V (typ) allowing 0 to 15 V drive
ESD protected HBM class 2 and CDM class C3
VDS Max(V) 1200
ID Max(A) 100
ECCN EAR99
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UHB100SC12E1BC3N fabricants de marques: Qorvo, Bonchip action, UHB100SC12E1BC3N prix de référence. UHB100SC12E1BC3N paramètres, UHB100SC12E1BC3N Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le UHB100SC12E1BC3N Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver UHB100SC12E1BC3N schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, UHB100SC12E1BC3N tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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