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2SA1952TLQ Spécifications techniques
2SA1952TLQ datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ROHM Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 20 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e2 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin/Copper (Sn98Cu2) |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 1W |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Transistor Application | SWITCHING |
Polarity/Channel Type | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 60V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 4A |
Max Frequency | 80MHz |
Collector Emitter Saturation Voltage | -300mV |
Collector Base Voltage (VCBO) | 100V |
hFE Min | 120 |
Turn Off Time-Max (toff) | 1800ns |
Length | 6.5mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Copper, Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2000 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.29.00.75 |
Voltage - Rated DC | -60V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | -5A |
Base Part Number | 2SA1952 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Element Configuration | Single |
Gain Bandwidth Product | 80MHz |
Transistor Type | PNP |
Max Collector Current | 5A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10μA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 60V |
Transition Frequency | 80MHz |
Max Breakdown Voltage | 60V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | -5V |
Continuous Collector Current | -5A |
Height | 2.3mm |
Width | 5.5mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
2SA1952TLQ Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
2SA1900 | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 977 |
2SA1900 Q | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 2664 |
2SA1900 T100Q | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 1824 |
2SA1900-Q | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 35000 |
2SA1900GT100Q | LAPIS Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 48298 |
2SA1900T100Q | LAPIS Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 9925 |
2SA1900T100Q | ROHM Semiconductor | Transistors BJT simples | |
2SA1902 | UTG | Circuits intégrés spécialisés | 2757 |
2SA1903 | UTG | Circuits intégrés spécialisés | 2715 |
2SA1905-Y | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 2704 |
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