2SA2007E Spécifications techniques

2SA2007E datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ROHM Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Bulk
Part Status Not For New Designs
Max Power Dissipation 25W
Gain Bandwidth Product 80MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 500mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 320 @ 2A 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 400mA, 8A
Current - Collector (Ic) (Max) 12A
Collector Base Voltage (VCBO) -100V
hFE Min 160
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature 150°C TJ
Published 1999
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Element Configuration Single
Transistor Type PNP
Max Collector Current 12A
Current - Collector Cutoff (Max) 10μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 60V
Collector Emitter Saturation Voltage -300mV
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
Continuous Collector Current -12A
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2SA2007E fabricants de marques: ROHM Semiconductor, Bonchip action, 2SA2007E prix de référence. 2SA2007E paramètres, 2SA2007E Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le 2SA2007E Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver 2SA2007E schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, 2SA2007E tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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