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2SC5865TLQ Spécifications techniques
2SC5865TLQ datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ROHM Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Contact Plating | Copper, Silver, Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2011 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 3 |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 500mW |
Terminal Form | GULL WING |
Pin Count | 3 |
Element Configuration | Single |
Gain Bandwidth Product | 250MHz |
Transistor Type | NPN |
Max Collector Current | 1A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1μA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 60V |
Collector Base Voltage (VCBO) | 60V |
hFE Min | 120 |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SC-96 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e1 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Voltage - Rated DC | 60V |
Terminal Position | DUAL |
Current Rating | 1A |
Number of Elements | 1 |
Transistor Application | SWITCHING |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 60V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Transition Frequency | 250MHz |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 6V |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
2SC5865TLQ Documents
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Feuilles de données
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