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2SD2211T100Q Spécifications techniques
2SD2211T100Q datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ROHM Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Contact Plating | Copper, Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 4 |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 1999 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | TIN COPPER |
Voltage - Rated DC | 160V |
Terminal Form | FLAT |
Current Rating | 1.5A |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Case Connection | COLLECTOR |
Gain Bandwidth Product | 80MHz |
Transistor Type | NPN |
Max Collector Current | 1.5A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1μA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 160V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Continuous Collector Current | 1.5A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-243AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e2 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 3 |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 2W |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
JESD-30 Code | R-PSSO-F3 |
Element Configuration | Single |
Transistor Application | SWITCHING |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 160V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 100mA, 1A |
Collector Base Voltage (VCBO) | 160V |
hFE Min | 120 |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
2SD2211T100Q Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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2SD2206 | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 2500 |
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2SD2206(T6F(J | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 69384 |
2SD2206(T6PP | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 585261 |
2SD2206(T6PP,A,F) | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 585000 |
2SD2206(T6PP1 | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 30253 |
2SD2206(T6PP1,A,F) | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 30000 |
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