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DTA024EMT2L Spécifications techniques
TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Max Power Dissipation | 150mW |
Terminal Form | FLAT |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Max Collector Current | 30mA |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500μA, 5mA |
Max Frequency | 250MHz |
Max Breakdown Voltage | 50V |
hFE Min | 60 |
Continuous Collector Current | -100mA |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-723 |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2015 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 |
Terminal Position | DUAL |
Output Voltage | -70mV |
Polarity | PNP |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 150mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA 10V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Transition Frequency | 250MHz |
Frequency - Transition | 250MHz |
Resistor - Base (R1) | 22 k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 k Ω |
Lead Free | Lead Free |
DTA024EMT2L Documents
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Feuilles de données
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