DTA115EEBTL Spécifications techniques

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Published 2012
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 150mW
Terminal Form FLAT
Output Voltage -100mV
Polarity PNP
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 82 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Max Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 100 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 100 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SC-75, SOT-416
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Max Operating Temperature 150°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Position DUAL
Base Part Number DTA115
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 20mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Transition Frequency 250MHz
hFE Min 82
Continuous Collector Current -100mA
Radiation Hardening No
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