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DTA115GUAT106 Spécifications techniques
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 7 Weeks |
Number of Pins | 3 |
Published | 2004 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 200mW |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | -100mA |
Pin Count | 3 |
Polarity | PNP |
Transistor Application | SWITCHING |
Max Collector Current | 100mA |
Transition Frequency | 250MHz |
hFE Min | 82 |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e1 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | TIN SILVER COPPER |
Min Operating Temperature | -55°C |
HTS Code | 8541.21.00.75 |
Voltage - Rated DC | -50V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Max Breakdown Voltage | 50V |
DC Current Gain-Min (hFE) | 82 |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
DTA115GUAT106 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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