DTA123JEBHZGTL Spécifications techniques

PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Package / Case SC-89, SOT-490
Transistor Element Material SILICON
Series Automotive, AEC-Q101
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power - Max 150mW
Polarity/Channel Type PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 47 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Cut Tape (CT)
Part Status Active
Number of Terminations 3
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Transition Frequency 250MHz
Resistor - Base (R1) 2.2 k Ω
Collector-Emitter Voltage-Max 50V
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