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DTB113ZKT146 Spécifications techniques
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Published | 2004 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Terminal Finish | TIN SILVER COPPER |
Min Operating Temperature | -55°C |
HTS Code | 8541.21.00.75 |
Voltage - Rated DC | -50V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Pin Count | 3 |
Operating Supply Voltage | 50V |
Polarity | PNP |
Power Dissipation | 200mW |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Max Collector Current | 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Max Breakdown Voltage | 50V |
hFE Min | 56 |
Continuous Collector Current | -500mA |
Height | 1.1mm |
Width | 1.6mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e1 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 200mW |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | -500mA |
Base Part Number | DTB113 |
Max Output Current | 500mA |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 300mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Transition Frequency | 200MHz |
Frequency - Transition | 200MHz |
Resistor - Base (R1) | 1 k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 k Ω |
Length | 2.9mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
DTB113ZKT146 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
DTB113 | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 1296 |
DTB113ECHZGT116 | ROHM Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
DTB113ECT116 | LAPIS Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2527 |
DTB113ECT116 | ROHM Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
DTB113EK | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 187858 |
DTB113EK T146 | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 1791 |
DTB113EK T146 MCU | LAPIS Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 1868 |
DTB113EKT146 | LAPIS Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 11466 |
DTB113EKT146 | ROHM Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
DTB113EL | Original | Circuits intégrés spécialisés | 2929 |
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