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DTB123EKFRAT146
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DTB123EKFRAT146 Spécifications techniques
500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (W
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased + Diode |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Transition Frequency | 200MHz |
Resistor - Base (R1) | 2.2 k Ω |
Collector-Emitter Voltage-Max | 50V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power - Max | 200mW |
Polarity/Channel Type | PNP |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 39 @ 50mA 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Frequency - Transition | 200MHz |
Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
DTB120150UC-P5P-FL | CUI, Inc. | Chargeurs de batterie | 0 |
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DTB122JKT146 | LAPIS Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 5413 |
DTB122JKT146 | ROHM Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés |
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