DTC014EMT2L Spécifications techniques

TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 150mW
Terminal Form FLAT
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 50mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500μA, 5mA
Max Frequency 250MHz
Max Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 10 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 10 k Ω
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-723
Transistor Element Material SILICON
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
Terminal Position DUAL
Output Voltage 50mV
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 150mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA 10V
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Continuous Collector Current 100mA
RoHS Status ROHS3 Compliant
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