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DTC114ECAT116 Spécifications techniques
TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e1 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Max Operating Temperature | 150°C |
HTS Code | 8541.21.00.75 |
Max Power Dissipation | 200mW |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Pin Count | 3 |
Operating Supply Voltage | 50V |
Polarity | NPN |
Power Dissipation | 200mW |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Max Collector Current | 50mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Max Breakdown Voltage | 50V |
hFE Min | 30 |
Continuous Collector Current | 100mA |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 1998 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1.0 |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Base Part Number | DTC114 |
Max Output Current | 100mA |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 300mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA |
Transition Frequency | 250MHz |
Frequency - Transition | 250MHz |
Resistor - Base (R1) | 10 k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
DTC114ECAT116 Documents
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Feuilles de données
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