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DTC114EUBHZGTL Spécifications techniques
NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 7 Weeks |
Package / Case | SC-85 |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 3 |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 |
Terminal Form | FLAT |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Number of Elements | 1 |
Power - Max | 200mW |
Polarity/Channel Type | NPN |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA 5V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Transition Frequency | 250MHz |
Resistor - Base (R1) | 10 k Ω |
REACH SVHC | Unknown |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased + Diode |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Frequency - Transition | 250MHz |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
DTC114EUBHZGTL Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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DTC113EET1G | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
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DTC113ZCA | Original | Circuits intégrés spécialisés | 110632 |
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