DTC114YUBTL Spécifications techniques

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 85
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Output Voltage 100mV
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Max Frequency 250MHz
Max Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 10 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 47 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SC-85
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number DTC114
JESD-30 Code R-PDSO-F3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 70mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Continuous Collector Current 100mA
Radiation Hardening No
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