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DTC643TUT106 Spécifications techniques

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
HTS Code 8541.21.00.75
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 820 @ 50mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 2.5mA, 50mA
Transition Frequency 150MHz
Frequency - Transition 150MHz
Resistor - Base (R1) 4.7 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount, Through Hole
Package / Case SC-70, SOT-323
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number DTC643
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 600mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 20V
Max Breakdown Voltage 15V
hFE Min 820
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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