DTC914TUBTL Spécifications techniques

TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 85
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Operating Temperature 150°C
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 400mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 20V
Transition Frequency 35MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 40V
Continuous Collector Current 400mA
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SC-85
Transistor Element Material SILICON
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F3
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 100mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 820 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 3mA, 30mA
Max Frequency 35MHz
Max Breakdown Voltage 20V
Resistor - Base (R1) 10 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
DTC914TUBTL LAPIS Semiconductor Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés 2613

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