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DTD123TSTP Spécifications techniques

TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case SC-72 Formed Leads
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature DIGITAL
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
JESD-30 Code R-PSIP-T3
Operating Temperature (Max) 150°C
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Frequency - Transition 200MHz
VCEsat-Max 0.3 V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Transistor Element Material SILICON
Published 1998
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
HTS Code 8541.21.00.75
Max Power Dissipation 300mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number DTD123
Qualification Status Not Qualified
Number of Elements 1
Power - Max 300mW
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transition Frequency 200MHz
Resistor - Base (R1) 2.2 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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DTD123TSTP fabricants de marques: ROHM Semiconductor, Bonchip action, DTD123TSTP prix de référence. DTD123TSTP paramètres, DTD123TSTP Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le DTD123TSTP Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver DTD123TSTP schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, DTD123TSTP tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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