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DTD123YCT116 Spécifications techniques
NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2004 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.21.00.75 |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
Operating Temperature (Max) | 150°C |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Max Collector Current | 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Max Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 k Ω |
VCEsat-Max | 0.3 V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Additional Feature | DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5 |
Max Power Dissipation | 200mW |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 3 |
Qualification Status | Not Qualified |
Number of Elements | 1 |
Power - Max | 200mW |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 300mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Transition Frequency | 200MHz |
Frequency - Transition | 200MHz |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
DTD123YCT116 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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