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DTDG23YPT100 Spécifications techniques

TRANS PREBIAS NPN 1.5W MPT3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 4
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 1.5W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Max Output Current 1A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 400mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 500mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 500mA
Transition Frequency 80MHz
Frequency - Transition 80MHz
Resistor - Base (R1) 2.2 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 22 k Ω
Length 4.5mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-243AA
Transistor Element Material SILICON
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 60V
Terminal Form FLAT
Current Rating 1A
Base Part Number DTDG23
JESD-30 Code R-PSSO-F3
Operating Supply Voltage 60V
Polarity NPN
Case Connection COLLECTOR
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 60V
Max Breakdown Voltage 60V
hFE Min 300
Continuous Collector Current 1A
Height 1.5mm
Width 2.5mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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