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EM6M2T2R Spécifications techniques

MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2009
Part Status Active
Number of Terminations 6
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number *M2
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ω @ 200mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.2A
DS Breakdown Voltage-Min 20V
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 150mW
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 150mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Continuous Drain Current (ID) 200mA
Drain-source On Resistance-Max 1.4Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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