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EMB11FHAT2R Spécifications techniques

TRANS 2PNP 100MA EMT6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Package / Case SOT-563, SOT-666
Transistor Element Material SILICON
Published 2016
Part Status Active
Number of Terminations 6
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1.0
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Power - Max 150mW
Polarity/Channel Type PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 10k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Cut Tape (CT)
Series Automotive, AEC-Q101
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
Resistor - Base (R1) 10k Ω
Collector-Emitter Voltage-Max 50V
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