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EMB2FHAT2R Spécifications techniques
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Transistor Element Material | SILICON |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signals |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 2 |
Power - Max | 150mW |
Polarity/Channel Type | PNP |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Frequency - Transition | 250MHz |
Resistor - Base (R1) | 47k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1.0 |
Terminal Form | FLAT |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PDSO-F6 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transition Frequency | 250MHz |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.15W |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47k Ω |
EMB2FHAT2R Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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