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EMB61T2R Spécifications techniques

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Published 2016
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 10k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Packaging Cut Tape (CT)
Part Status Active
Number of Terminations 6
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Power - Max 150mW
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 150mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500μA, 5mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 10k Ω
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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EMB61T2R fabricants de marques: ROHM Semiconductor, Bonchip action, EMB61T2R prix de référence. EMB61T2R paramètres, EMB61T2R Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le EMB61T2R Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver EMB61T2R schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, EMB61T2R tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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