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EMD4T2R Spécifications techniques
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e2 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | TIN COPPER |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Terminal Form | FLAT |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Pin Count | 6 |
Polarity | NPN, PNP |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 300mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA / 300mV @ 250μA, 5mA |
Transition Frequency | 250MHz |
Frequency - Transition | 250MHz |
Resistor - Base (R1) | 47k Ω, 10k Ω |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Copper, Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 6 |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Max Power Dissipation | 150mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Base Part Number | *MD4 |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Max Breakdown Voltage | 50V |
hFE Min | 68 |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
EMD4T2R Documents
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Feuilles de données
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Les pièces suivantes comprennent 'EMD4T'
Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
EMD4T2R | LAPIS Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 53310 |
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