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EMD59T2R Spécifications techniques
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2013 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Form | FLAT |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PDSO-F6 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Max Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Max Power Dissipation | 150mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 2 |
Power - Max | 150mW |
Polarity/Channel Type | NPN AND PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 150mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500μA, 5mA |
Transition Frequency | 250MHz |
Frequency - Transition | 250MHz |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47k Ω |
EMD59T2R Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
EMD59 T2R | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 12518 |
EMD59T2R | LAPIS Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 16421 |
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