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EMF8T2R Spécifications techniques

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 6
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA 5V / 270 @ 10mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V 12V
Transition Frequency 250MHz
hFE Min 270
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Subcategory Other Transistors
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 12V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA 500mA
Frequency - Transition 250MHz 320MHz
Resistor - Base (R1) 47k Ω
Radiation Hardening No
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
EMF8T2R LAPIS Semiconductor Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés 2776

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