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EMG2T2R Spécifications techniques

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Voltage - Rated DC 50V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 5
Polarity NPN
Power Dissipation 150mW
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 68
Continuous Collector Current 100mA
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 150mW
Current Rating 30mA
Base Part Number *MG2
Number of Elements 2
Configuration COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 47k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
EMG2T2R LAPIS Semiconductor Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés 6748

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