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EMG4T2R Spécifications techniques

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Published 2011
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 150mW
Current Rating 100mA
Base Part Number *MG4
Number of Elements 2
Configuration COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 10k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
Voltage - Rated DC 50V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 5
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA 5V
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 100
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
EMG4T2R LAPIS Semiconductor Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés 22400

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