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EMH61T2R Spécifications techniques

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Published 2017
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Power - Max 150mW
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 150mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500μA, 5mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 10k Ω
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Packaging Cut Tape (CT)
Part Status Active
Number of Terminations 6
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 10k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
EMH61T2R LAPIS Semiconductor Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés 2749

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