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EMX18T2R Spécifications techniques

TRANS 2NPN 12V 0.5A 6EMT

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Tableaux BJT Transistors
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN/TIN COPPER
Voltage - Rated DC 12V
Terminal Form FLAT
Current Rating 500mA
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Polarity NPN
Power Dissipation 150mW
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 12V
Max Breakdown Voltage 12V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 320MHz
Base Part Number *MX18
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Gain Bandwidth Product 320MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 10mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 200mA
Transition Frequency 320MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 15V
hFE Min 270
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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