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EMX1FHAT2R Spécifications techniques

NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Tableaux BJT Transistors
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Package / Case SOT-563, SOT-666
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2016
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 2
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS
Transistor Application AMPLIFIER
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Frequency - Transition 180MHz
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Series Automotive, AEC-Q101
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Polarity NPN
Power - Max 150mW
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transition Frequency 180MHz
RoHS Status ROHS3 Compliant
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EMX1FHAT2R LAPIS Semiconductor Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux 16332

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