EMX5T2R Spécifications techniques

TRANS 2NPN 11V 0.05A 6EMT

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Tableaux BJT Transistors
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Polarity NPN
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Max Collector Current 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 11V
Max Breakdown Voltage 11V
Emitter Base Voltage (VEBO) 3V
Collector-Base Capacitance-Max 1.55pF
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC 11V
Terminal Form FLAT
Current Rating 50mA
Base Part Number MX5
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Gain Bandwidth Product 3.2 GHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 11V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 10mA
Transition Frequency 3200MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 20V
hFE Min 56
Radiation Hardening No
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EMX5T2R LAPIS Semiconductor Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux 8500

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