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EMZ51T2R Spécifications techniques

TRANS NPN/PNP 20V 0.2A EMT6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Tableaux BJT Transistors
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Part Status Active
Number of Terminations 6
Max Power Dissipation 150mW
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN, PNP
Max Collector Current 200mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 20V
Max Breakdown Voltage 20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2016
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Power - Max 150mW
Polarity/Channel Type NPN AND PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Transition Frequency 400MHz
Frequency - Transition 400MHz 350MHz
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