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EMZ8T2R Spécifications techniques

TRANS NPN/PNP 50V/12V 6EMT

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Tableaux BJT Transistors
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.75
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 6
Polarity NPN, PNP
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN, PNP
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 12V
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA 500mA
Frequency - Transition 180MHz 260MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Gain Bandwidth Product 260MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 400mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA 6V / 270 @ 10mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V 12V
Transition Frequency 180MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
hFE Min 120
RoHS Status ROHS3 Compliant
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EMZ8T2R LAPIS Semiconductor Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux 8500

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