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HP8K22TB Spécifications techniques

30V NCH NCH MID POWER MOSFET

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Configuration SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Case Connection DRAIN SOURCE
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.8nC @ 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 12A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 48A
Avalanche Energy Rating (Eas) 11.4 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power - Max 25W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A 57A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain-source On Resistance-Max 0.0133Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
HP8K20FU7TB ROHM Circuits intégrés spécialisés 1234
HP8K22 LAPIS Semiconductor Circuits intégrés spécialisés 3994
HP8K22TB LAPIS Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux 2843
HP8K24 ROHM Circuits intégrés spécialisés 2560
HP8K24TB ROHM Semiconductor MOSFETs Transistors Arrays
HP8K24TB IC LAPIS Semiconductor Circuits intégrés spécialisés 25430

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