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HP8KA1TB Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2015
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power - Max 3W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V
Continuous Drain Current (ID) 14A
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Feature Logic Level Gate
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Part Status Active
Number of Terminations 8
Max Power Dissipation 3W
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Case Connection DRAIN
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5m Ω @ 14A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2550pF @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain-source On Resistance-Max 0.007Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
HP8KA1TB LAPIS Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux 2680

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HP8KA1TB fabricants de marques: ROHM Semiconductor, Bonchip action, HP8KA1TB prix de référence. HP8KA1TB paramètres, HP8KA1TB Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le HP8KA1TB Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver HP8KA1TB schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, HP8KA1TB tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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