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HP8M51TB1 Spécifications techniques

HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Case Connection DRAIN
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170m Ω @ 4.5A, 10V, 290m Ω @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC, 26.2nC @ 10V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 18A
Avalanche Energy Rating (Eas) 2.9 mJ
FET Feature Standard
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power - Max 3W Ta
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drain-source On Resistance-Max 0.18Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 100V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
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HP8M51TB1 fabricants de marques: ROHM Semiconductor, Bonchip action, HP8M51TB1 prix de référence. HP8M51TB1 paramètres, HP8M51TB1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le HP8M51TB1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver HP8M51TB1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, HP8M51TB1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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