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IMB3AT110 Spécifications techniques

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 300mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Operating Supply Voltage 50V
Polarity PNP
Power Dissipation 300mW
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 5mA
Transition Frequency 250MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
Resistor - Base (R1) 4.7k Ω
VCEsat-Max 0.3 V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SC-74, SOT-457
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -100mA
Base Part Number MB3
Max Output Current 100mA
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA 5V
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Frequency - Transition 250MHz
hFE Min 100
Continuous Collector Current -100mA
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
IMB3AT110 LAPIS Semiconductor Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés 2757

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