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IMH23T110 Spécifications techniques

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
HTS Code 8541.21.00.75
Max Power Dissipation 300mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number *MH23
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 820 @ 50mA 5V
Collector Emitter Breakdown Voltage 20V
Collector Emitter Saturation Voltage 150mV
Frequency - Transition 150MHz
hFE Min 820
Height 1.2mm
Width 1.8mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SC-74, SOT-457
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Polarity NPN
Power Dissipation 300mW
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 600mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 2.5mA, 50mA
Transition Frequency 150MHz
Max Breakdown Voltage 20V
Emitter Base Voltage (VEBO) 12V
Resistor - Base (R1) 4.7k Ω
Length 3mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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